-
公开(公告)号：CN118693048A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410204304.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B80/00 , H01L23/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件以及包括半导体器件的半导体封装件。一种示例半导体器件包括：晶体硅层；非晶硅层，所述非晶硅层位于所述晶体硅层上并且沿着所述晶体硅层的第一表面延伸；以及电介质层，所述电介质层位于所述非晶硅层上并且沿着所述非晶硅层的表面延伸。所述电介质层包括氮氧化硅并且具有压缩应力。
Search Results
1
records
(took 0.025 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
