公开(公告)号：CN101162710A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710152434.3

申请日：2007-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德重 ,  宋大昊 ,  金京燮 ,  李庸懿

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底的制造方法，该方法包括：在基底上形成栅极绝缘膜和有源层；在有源层上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的数据金属层；在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻；对第一光致抗蚀剂图案进行蚀刻以形成第二光致抗蚀剂图案，其中，通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区；通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极。