公开(公告)号：CN117641889A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310910429.3

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋俊和 ,  金昶植 ,  罗载元 ,  崔德欢

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置包括：上导电线，其位于衬底上；沟道结构，其与上导电线相邻；栅极电介质膜，其位于沟道结构和上导电线之间；以及导电接触图案，其电连接至沟道结构。沟道结构包括主沟道部分和沟道接触部分，主沟道部分包括具有第一成分的氧化物半导体层，沟道接触部分位于主沟道部分和导电接触图案之间。沟道接触部分与导电接触图案接触，并且包括具有不同于第一成分的第二成分的材料。

公开(公告)号：CN117998840A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310820255.1

申请日：2023-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶植 ,  罗载元 ,  宋俊和 ,  朴桐湜

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括在基底上在第一方向上延伸的多条位线、分别在所述多条位线上的多个有源柱、沿所述多个有源柱在第二方向上延伸的字线、分别在所述多个有源柱上的多个着陆垫以及分别在所述多个着陆垫上的多个数据存储图案。所述多个有源柱中的每个可以具有在垂直于所述基底的上表面的方向上延伸的长度。当在平面图中观看时，所述字线具有波浪形状。

公开(公告)号：CN117794241A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311278284.6

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗载元 ,  金昶植 ,  宋俊和 ,  全智姬

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；在衬底上并在第一方向上延伸的位线；在位线上的第一和第二沟道图案，第二沟道图案在第一方向上与第一沟道图案间隔开；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，在第二方向上延伸，并且在第一方向上与第一字线间隔开；在沟道图案上并且连接到第一或第二沟道图案的电容器；其中第一沟道图案和第二沟道图案包括依次在位线上的第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案，第一金属氧化物图案和第二金属氧化物图案中的每个包括非晶金属氧化物，并且第一金属氧化物图案的组成不同于第二金属氧化物图案的组成。