公开(公告)号：CN118159028A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311529062.7

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承敏 ,  柳志桓 ,  安炳万 ,  崔凤贤

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G11C5/06 ,  G11C5/02

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括芯片区域和划道区域，划道区域包括第一键图案区域；封盖绝缘层，设置在划道区域上；阻挡金属层，覆盖封盖绝缘层以及通孔的内壁，所述通孔穿透封盖绝缘层；衬底层，设置在阻挡金属层上并且填充通孔；绝缘板和上基底层，设置在衬底层上；图案绝缘层，在第一键图案区域中设置在封盖绝缘层上；堆叠结构，设置在上基底层和图案绝缘层上；以及第一图案结构，在竖直方向上与图案绝缘层重叠并且穿透堆叠结构和图案绝缘层，其中，图案绝缘层在第一键图案区域中延伸穿过阻挡金属层。