公开(公告)号：CN101320685A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810142896.1

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了形成多晶硅的方法、采用多晶硅的薄膜晶体管(TFT)以及制造TFT的方法。形成多晶硅的方法包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一电极和第二电极；在绝缘层上形成至少一个加热层以连接第一电极和第二电极；在加热层上形成包含硅的非晶形材料层；通过蚀刻绝缘层在加热层下方形成通孔；以及通过在第一电极和第二电极之间施加电压以加热加热层而使非晶形材料层结晶成多晶硅层。