公开(公告)号：CN105633161A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。

公开(公告)号：CN105590963A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510753020.0

申请日：2015-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  金琯英 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全基文 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/1045 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7816 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN105633161B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201510611794.X

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金琯英 ,  俞在炫 ,  卢镇铉 ,  孟佑烈 ,  全镕宇

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。