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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN118695593A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410336809.5

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高承甫 , 姜秀真 , 金钟珉 , 安东赫 , 吴智媛 , 尹灿植 , 李明东 , 李敏永 , 车仁镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括基板、沿第一水平方向在基板上延伸的字线、沿垂直于第一水平方向的第二水平方向在基板上延伸的位线以及在位线的侧壁上的间隔物结构，其中位线包括在基板上沿垂直方向堆叠的下导电层、中间导电层和上导电层，并且间隔物结构包括：耗尽停止层，在下导电层的侧壁上，在垂直方向上延伸，并且包括具有比硅氮化物层的界面陷阱密度小的界面陷阱密度的材料层；以及内间隔物，在垂直方向上延伸并且在耗尽停止层的侧壁上。

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