公开(公告)号：CN117789778A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311109792.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申丞濬 ,  姜映宇 ,  赵东赫 ,  徐宁焄

IPC: G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 公开存储器装置，所述存储器装置包括：第一存储器单元，与第一字线和第一位线电连接；第一位线感测放大器电路，与第一位线电连接；第一局部感测放大器电路，通过第一局部输入/输出线与第一位线感测放大器电路电连接；第一局部驱动器，通过第一预全局输入/输出线与第一局部感测放大器电路电连接；以及感测放大器和写入驱动器，通过全局输入/输出线与第一局部驱动器电连接，并且第一局部驱动器基于针对第一存储器单元的操作选择性地将第一预全局输入/输出线与全局输入/输出线电断开。

公开(公告)号：CN119832959A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410580735.X

申请日：2024-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌永 ,  姜映宇 ,  金容峻

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4094

Abstract: 公开了存储器设备及其操作方法。一种存储器设备可以包括多个存储器单元，每个存储器单元包括单元晶体管，该单元晶体管具有通过背栅线与相邻存储器单元的相邻单元晶体管共享的背栅、连接到对应的字线的顶栅和连接到单元晶体管的第一电极的单元电容器；子字线驱动器，被配置为向所选字线施加字线驱动电压；背栅驱动器，被配置为在所选字线被启用的活动时段期间将施加到背栅线的背栅电压从第一电压电平改变到第二电压电平；以及感测放大器，被配置为通过连接到多个存储器单元的单元晶体管的第二电极的位线来感测数据。

公开(公告)号：CN119479744A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411074637.5

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌永 ,  尹炫喆 ,  姜映宇

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: 本公开涉及存储器设备。一种示例存储器设备包括包含被配置为存储数据的存储器单元阵列以及包含多个反熔丝位线、多个反熔丝字线、多个编程晶体管的反熔丝单元阵列的存储器单元区域，该多个编程晶体管电耦合到多个反熔丝位线中的第一反熔丝位线并且彼此并联耦合。该存储器设备包括外围电路区域，该外围电路区域包括被配置为输出存储在多个编程晶体管中的一次性可编程(OTP)数据的反熔丝感测放大器。