公开(公告)号：CN101097988B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200610160399.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  斯蒂法诺维奇·金瑞克 ,  埃尔·M·鲍里姆

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101097988A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610160399.5

申请日：2006-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  斯蒂法诺维奇·金瑞克 ,  埃尔·M·鲍里姆

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供一种具有n+界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的n+界面层、形成在所述n+界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。