公开(公告)号：CN118119178A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311073227.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  申东花 ,  吕晟溱 ,  柳镐仁

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置可包括：衬底，其包括在第一方向上按次序布置的核区、单元块区和外围区；以及单元块区上的位线结构。位线结构可以包括：第一位线和第二位线，其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此邻近；位线连接器，其将第一位线和第二位线电连接并且邻近于外围区；以及位线焊盘，其电连接至第一位线，并且邻近于核区。

公开(公告)号：CN118742026A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311700611.2

申请日：2023-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  禹奎媛 ,  申东花 ,  吕晟溱 ,  柳镐仁

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上彼此相邻的单元块区域和外围区域；第一有源图案和第二有源图案，其在所述单元块区域上在不同于所述第一方向的第二方向上彼此相邻；第一位线，其在所述第一有源图案上在所述第一方向上延伸；第二位线，其在所述第二有源图案上在所述第一方向上延伸；位线连接件，其将所述第一位线与所述第二位线彼此连接并且与所述外围区域相邻；内部间隔物，其位于所述位线连接件的内表面上；以及外部间隔物，其位于所述位线连接件的外表面上。所述内部间隔物在所述位线连接件的所述内表面上延伸(例如，覆盖其)，并且延伸到(例如，连续地延伸到)所述第一位线的内表面和所述第二位线的内表面上。

公开(公告)号：CN117479531A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310863414.6

申请日：2023-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏永 ,  吕晟溱 ,  柳原锡 ,  禹再珉 ,  丁璟钰 ,  郑明勋 ,  洪润基

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。

公开(公告)号：CN116454047A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202211035563.5

申请日：2022-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪智硕 ,  吕晟溱 ,  洪润基

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别具有第一有源图案和第二有源图案的单元区域和芯区域以及位于单元区域与芯区域之间的边界区域，第一有源图案和第二有源图案具有至少部分地限定第一有源图案与第二有源图案之间的沟槽的相应的相对的侧壁表面；器件隔离层，位于边界区域上，以填充沟槽；线结构，位于第一有源图案上并且从单元区域延伸到边界区域；以及盖图案，覆盖线结构的位于边界区域上的端部。器件隔离层包括至少部分地限定与线结构的端部相邻的凹进区域的一个或更多个内表面，并且盖图案沿着线结构的端部延伸到凹进区域中。器件隔离层的顶表面位于线结构与盖图案的底表面之间。

公开(公告)号：CN115643755A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210812817.3

申请日：2022-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜钟仁 ,  崔峻荣 ,  洪润基 ,  金台勋 ,  吕晟溱 ,  韩相然

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和核心区；边界元件分隔膜，设置在衬底内部并将单元区和核心区分开；以及位线，设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸，其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域，以边界元件分隔膜的下侧为基准，边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同，位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。