公开(公告)号：CN102237373A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110125831.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李进元 ,  李禹根 ,  卞喜准 ,  朱迅

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种面板、一种形成面板的方法、一种薄膜晶体管和一种显示面板。一种包括薄膜晶体管的面板包括：基底；光阻挡层，位于所述基底上；第一保护膜，位于所述光阻挡层上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上；绝缘层；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁，所述第一保护膜包括第二侧壁。所述第一侧壁和所述第二侧壁沿基本相同的线设置。

公开(公告)号：CN102376721A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229094.6

申请日：2011-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李禹根 ,  崔永柱 ,  郑卿在 ,  李进元 ,  崔升夏 ,  卞喜准 ,  尹弼相

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。