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公开(公告)号：CN1239821A
公开(公告)日：1999-12-29
申请号：CN99109273.2
申请日：1999-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南信祐 , 徐俊 , 崔昶源 , 洪瑛基
IPC: H01L21/76
Abstract: 提供一种形成嵌埋于半导体衬底中的沟槽隔离的方法，其中采用干法腐蚀去掉氮化物沟槽掩模，以抑制氮化物沟槽衬里的凹陷现象。干法腐蚀以相同的腐蚀速率腐蚀沟槽掩模和沟槽衬里。
