公开(公告)号：CN111740012A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010219974.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  林晟洙 ,  姜秉茂 ,  具省模 ,  朴世真 ,  裵珍宇

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供了形成电容器的方法、形成半导体器件的方法、形成精细图案的方法和半导体器件，该半导体器件包括：晶体管，在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上，并且具有栅极结构和杂质区域；第一层间绝缘膜，覆盖晶体管并且具有电连接到杂质区域的接触插塞；电容器，包括在第二区域中的第一层间绝缘膜上且电连接到接触插塞的下电极、覆盖下电极的表面的电介质膜、和在电介质膜上的上电极；以及支撑层，与下电极的上部侧表面接触以支撑下电极，并且延伸到第一区域，其中支撑层在第一区域和第二区域之间具有台阶。

公开(公告)号：CN110010604B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

公开(公告)号：CN110010604A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。