公开(公告)号：CN116916661A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310411526.8

申请日：2023-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇宇 ,  安东浩 ,  具东建

IPC: H10B63/00

Abstract: 公开了一种存储器件，包括：在衬底上的栅堆叠，包括沿竖直方向交替堆叠的绝缘层和栅电极，并沿竖直方向限定通孔；以及在通孔中的柱结构，柱结构包括：多个沟道部分，在通孔中面向栅电极并具有环形水平截面；多个导电层，在通孔中面向绝缘层，具有环形水平截面并具有相对于沟道部分的内壁朝向通孔的中心突出的内壁；以及可变电阻材料层，在通孔中沟道部分的内壁和导电层的内壁上，并且可变电阻材料层的第一部分沿竖直方向与导电层重叠。

公开(公告)号：CN118695600A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410330568.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  具东建 ,  具本原 ,  朴正熙 ,  成河俊 ,  安东浩 ,  吴哲 ,  李昌承 ,  崔旻雨

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。