公开(公告)号：CN112086457A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010517877.3

申请日：2020-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金根楠 ,  全辰桓 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括：包括沟槽的衬底。第一导电图案设置在沟槽内。第一导电图案具有比沟槽的宽度小的宽度。第一间隔件沿着第一导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充与第一间隔件相邻的沟槽。提供了空气间隔件，其包括在第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。空气间隔件的第二部分的宽度大于空气间隔件的第一部分的宽度。

公开(公告)号：CN110767653B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201910307879.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全辰桓 ,  金熙中 ,  金根楠 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有由器件隔离区限定的有源区；导电线，在有源区上沿一方向延伸；绝缘衬垫，在导电线的下部的两个侧壁上，导电线的下部与有源区接触；间隔物，在与衬底的表面垂直的方向上与绝缘衬垫隔开，并且顺序地形成在导电线的上部的两个侧壁上；阻挡层，布置在绝缘衬垫与位于所述多个间隔物中间的间隔物之间的间隔处，并且在从位于所述多个间隔物中间的间隔物的一端朝导电线凹入的凹陷部分中；以及导电图案，布置在所述多个间隔物两侧的有源区上。

公开(公告)号：CN111326517A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910840843.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金熙中 ,  李明东 ,  全辰桓

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及包括间隔物的半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底；第一杂质注入区域和第二杂质注入区域，在衬底上并彼此间隔开；存储节点接触，与第一杂质注入区域接触，存储节点接触包括具有第一宽度的上接触和在上接触的下部处的具有大于第一宽度的第二宽度的下接触；位线，电连接到第二杂质注入区域并配置为跨过衬底；位线节点接触，在位线和第二杂质注入区域之间；以及间隔物，在存储节点接触和位线之间以及存储节点接触和位线节点接触之间。

公开(公告)号：CN111326517B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201910840843.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金熙中 ,  李明东 ,  全辰桓

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/40 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

Abstract: 本发明涉及包括间隔物的半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底；第一杂质注入区域和第二杂质注入区域，在衬底上并彼此间隔开；存储节点接触，与第一杂质注入区域接触，存储节点接触包括具有第一宽度的上接触和在上接触的下部处的具有大于第一宽度的第二宽度的下接触；位线，电连接到第二杂质注入区域并配置为跨过衬底；位线节点接触，在位线和第二杂质注入区域之间；以及间隔物，在存储节点接触和位线之间以及存储节点接触和位线节点接触之间。

公开(公告)号：CN112582417A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010867759.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相昊 ,  金恩娥 ,  李基硕 ,  崔宰福 ,  金根楠 ,  安容奭 ,  全辰桓 ,  韩相然 ,  韩成熙 ,  韩昇煜 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。

公开(公告)号：CN110767653A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910307879.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全辰桓 ,  金熙中 ,  金根楠 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有由器件隔离区限定的有源区；导电线，在有源区上沿一方向延伸；绝缘衬垫，在导电线的下部的两个侧壁上，导电线的下部与有源区接触；间隔物，在与衬底的表面垂直的方向上与绝缘衬垫隔开，并且顺序地形成在导电线的上部的两个侧壁上；阻挡层，布置在绝缘衬垫与位于所述多个间隔物中间的间隔物之间的间隔处，并且在从位于所述多个间隔物中间的间隔物的一端朝导电线凹入的凹陷部分中；以及导电图案，布置在所述多个间隔物两侧的有源区上。