公开(公告)号：CN110660724B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910553164.X

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  申秀斌 ,  卢东贤 ,  丁炳硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/762 ,  H10B10/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。

公开(公告)号：CN110660724A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910553164.X

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹九荣 ,  申秀斌 ,  卢东贤 ,  丁炳硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/11

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；从衬底突出的多个有源图案；在有源图案之间的器件隔离层；以及钝化层，覆盖器件隔离层的顶表面并暴露有源图案的上部。器件隔离层包括与有源图案的相面对的侧壁相邻的多个第一隔离部、以及在第一隔离部之间的第二隔离部。第二隔离部的顶表面位于比第一隔离部的顶表面的水平低的水平处。