公开(公告)号：CN1820374A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200580000611.5

申请日：2005-02-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 岩渊昭夫 ,  相泽和也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095

Abstract: 一种半导体器件，包括：P－型半导体衬底(15)；在P－型半导体衬底(15)上形成的N型半导体区(21)；在N型半导体区(21)的表面区域形成、且与接地电极(1)电连接的上侧P型半导体区(13)；在上侧P型半导体区(13)之下形成的下侧P型半导体区(14)；与漏电极(2)电连接的第1 N+型半导体区(22)；起沟道形成区作用的P型半导体区(19)；与背栅电极(5)电连接的P+型半导体区(12)；与源电极(4)电连接的第2 N+型半导体区(23)；以及P型半导体区(19)上的栅电极(3)和栅绝缘膜(31)；下侧P型半导体区(14)延伸到第1 N+型半导体区(22)侧。