公开(公告)号：CN116762157A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280009850.0

申请日：2022-01-14

Applicant: 学校法人关西学院 ,  株式会社山梨技术工房 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  名仓义信 ,  浅川和宣 ,  小岛清

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体单晶衬底的情况下评价加工变质层的新技术。本发明是一种加工变质层的评价方法，其中，使激光(L1)从半导体单晶衬底(100)的表面入射，基于在所述半导体单晶衬底的内部散射的散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。本发明包括：测量步骤(S20)，测量使激光(L1)入射到半导体单晶衬底(100)的内部而散射的散射光(L4)；以及评价步骤(S30)，基于散射光(L4)的强度来评价加工变质层(101)。

公开(公告)号：CN117981065A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063703.1

申请日：2022-12-09

Applicant: 学校法人关西学院 ,  株式会社山梨技术工房 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  浅川和宣

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种能够在不破坏半导体衬底的情况下评价加工变质层的新技术，作为解决该问题的手段，本发明包括：测量工序，从在表面下方具有加工变质层的半导体衬底的表面入射具有侵入特性的激光，测量在所述表面下方散射的散射光的强度；以及评价工序，基于在所述测量工序中获得的散射光的强度，进行所述加工变质层的评价。