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公开(公告)号：CN100568098C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480003908.2
申请日：2004-02-05
Applicant: 斯潘生公司 , AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/039 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/32139 , C08L101/02 , G03F7/0392
Abstract: 使用至少含有(1)根据由多角光散射法的凝胶渗透色谱法计算的重均分子量聚苯乙烯换算值大于等于100万的超高分子量成分小于等于1ppm的，由碱可溶性树脂或用酸解离性保护基保护的碱不溶性或碱难溶性树脂构成的基体树脂；(2)由放射线的照射而产生酸的光酸产生剂及(3)溶剂的化学放大型放射线敏感性树脂组合物，将其在被加工对象2上涂布而形成光敏抗蚀剂膜3后，通过曝光、显影，形成小于等于0.2μm的微细抗蚀剂图案4。接着进行干式蚀刻，进行半导体装置的栅电极和孔形状、沟槽形状等的图案形成。由此，可以实现极少发生微桥等图案缺陷的图案形成。
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公开(公告)号：CN100373622C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03820714.1
申请日：2003-08-29
IPC: H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L27/115 , H01L27/11568 , Y10S257/90
Abstract: 本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。
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公开(公告)号：CN100517567C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN02808988.X
申请日：2002-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 斯潘生公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B19/418 , G05B2219/31457 , G05B2219/45031 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/86
Abstract: 设置半导体制造装置的工厂侧客户端(100)和进行半导体制造装置的维修管理的卖方侧服务器(200)被连接到可进行双向通信的通信网络即因特网(300)，可相互发送和接收。客户端(100)收集装置的状态信息并发送给服务器(200)。服务器(200)根据该状态信息，判定装置的异常或准异常，在异常或准异常时，检索数据库，推断原因、处理方法，并将原因、处理方法等的维修信息和指令通知客户端(100)。
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公开(公告)号：CN1689160A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03820714.1
申请日：2003-08-29
IPC: H01L27/10 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L27/115 , H01L27/11568 , Y10S257/90
Abstract: 本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。
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