发明授权
- 专利标题： Source/drain contacts for non-planar transistors
- 专利标题（中）： 非平面晶体管的源极/漏极触点
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申请号： US13992550申请日： 2011-10-01
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公开(公告)号： US08981435B2公开(公告)日： 2015-03-17
- 发明人: Sameer S. Pradhan , Subhash M. Joshi , Jin-Sung Chun
- 申请人： Sameer S. Pradhan , Subhash M. Joshi , Jin-Sung Chun
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Winkle, PLLC
- 国际申请： PCT/US2011/054479 WO 20111001
- 国际公布： WO2013/048524 WO 20130404
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/45 ; H01L21/02 ; H01L23/48 ; H01L29/66 ; H01L29/417
摘要：
The present description relates to the field of fabricating microelectronic devices having non-planar transistors. Embodiments of the present description relate to the formation of source/drain contacts within non-planar transistors, wherein a titanium-containing contact interface may be used in the formation of the source/drain contact with a discreet titanium silicide formed between the titanium-containing interface and a silicon-containing source/drain structure.
公开/授权文献
- US20130256767A1 SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS 公开/授权日：2013-10-03
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