发明授权
- 专利标题： Semiconductor device having a non-volatile memory built-in
- 专利标题（中）： 具有内置非易失性存储器的半导体器件
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申请号： US14114889申请日： 2012-12-05
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公开(公告)号： US08964460B2公开(公告)日： 2015-02-24
- 发明人: Takashi Ishiguro , Kenichi Shimomai , Kyoko Nakajima , Tetsuo Hironaka , Kazuya Tanigawa
- 申请人： Taiyo Yuden Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Taiyo Yuden Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiyo Yuden Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Chen Yoshimura LLP
- 优先权： JP2012-025623 20120208
- 国际申请： PCT/JP2012/081569 WO 20121205
- 国际公布： WO2013/118378 WO 20130815
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C13/00 ; H01L45/00 ; H01L27/24
摘要：
A semiconductor device of this invention has an array of non-volatile memory cells, may operate immediately after power activation to write data on and read out the data without reading from an external portion. Further, this invention is free from the lithographic process of the phase-change layer on the manufacturing process.
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