Pixel, pixel array, and image sensor

Invention Grant

US08952475B2 Pixel, pixel array, and image sensor 有权

Title translation: 像素，像素阵列和图像传感器

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Patent Title: Pixel, pixel array, and image sensor
Patent Title (中): 像素，像素阵列和图像传感器
Application No.: US13790107

Application Date: 2013-03-08
Publication No.: US08952475B2

Publication Date: 2015-02-10
Inventor: Min-seok Oh , Eun-sub Shim , Jung-chak Ahn , Moo-sup Lim , Sung-ho Choi
Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.
Applicant Address: KR Suwon-si, Gyeonggi-do
Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee: Samsung Electronics Co., Ltd.
Current Assignee Address: KR Suwon-si, Gyeonggi-do
Agency: Lee & Morse, P.C.
Priority: KR10-2012-0048845 20120508
Main IPC: H01L31/062
IPC: H01L31/062 ; H01L31/00 ; H01L27/146 ; H01L31/0352

Abstract:

A pixel and pixel array for use in an image sensor are provided. The image sensor includes floating sensing nodes symmetrically arranged with respect to a photodiode in each pixel.

Abstract(Chinese):

提供了用于图像传感器的像素和像素阵列。图像传感器包括相对于每个像素中的光电二极管对称布置的浮动感测节点。

Public/Granted literature

US20130299934A1 PIXEL, PIXEL ARRAY, AND IMAGE SENSOR Public/Granted day:2013-11-14

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04	.用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/06	..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/062	...只是金属—绝缘体—半导体型势垒的