Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetizaton switching current

发明授权

US08269292B2 Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetizaton switching current 有权

标题翻译：磁隧道结（MTJ）降低自旋转移磁化开关电流

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专利标题： Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetizaton switching current
专利标题（中）： 磁隧道结（MTJ）降低自旋转移磁化开关电流
申请号： US12584946

申请日： 2009-09-15
公开(公告)号： US08269292B2

公开(公告)日： 2012-09-18
发明人: Cheng T. Horng , Ru-Ying Tong
申请人： Cheng T. Horng , Ru-Ying Tong
申请人地址： US CA Milpitas
专利权人： MagIC Technologies, Inc.
当前专利权人： MagIC Technologies, Inc.
当前专利权人地址： US CA Milpitas
代理机构： Saile Ackerman LLC
代理商 Stephen B. Ackerman
主分类号： H01L29/82
IPC分类号： H01L29/82 ; H01L43/00 ; G11C11/00 ; G11C11/14

Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetizaton switching current

摘要：

A MTJ that minimizes spin-transfer magnetization switching current (Jc) in a Spin-RAM to

摘要（中）：

公开了将旋转RAM中的自旋转移磁化开关电流（Jc）最小化为<1×106A / cm 2的MTJ。 MTJ具有Co60Fe20B20 / MgO / Co60Fe20B20配置，其中CoFeB AP1钉扎和自由层是无定形的，并且通过ROX或NOX工艺形成结晶MgO隧道势垒。覆盖层优选为Hf / Ru复合材料，其中下部Hf层用作优异的吸氧材料，以减少自由层/覆盖层界面处的磁性“死层”，从而增加dR / R，并降低He和Jc 。退火温度降低至约280℃，以产生比350℃退火更平滑的CoFeB / MgO界面和较小的偏移场。在第二实施例中，AP1层具有CoFeB / CoFe构型，其中下CoFeB层是非晶的，并且上CoFe层是结晶的，以进一步改善dR / R，并将较低的RA降低至10nhm /μm2。

公开/授权文献

US20100006960A1 Novel magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetizaton switching current 公开/授权日：2010-01-14

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/82	..通过施加于器件的磁场变化可控的（H01L29/96优先）