发明授权
US07923177B2 Method for making a reflection lithographic mask and mask obtained by said method
有权
用于制造通过所述方法获得的反射光刻掩模和掩模的方法
- 专利标题： Method for making a reflection lithographic mask and mask obtained by said method
- 专利标题（中）： 用于制造通过所述方法获得的反射光刻掩模和掩模的方法
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申请号： US12097362申请日： 2006-12-04
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公开(公告)号： US07923177B2公开(公告)日： 2011-04-12
- 发明人: Christelle Charpin-Nicolle
- 申请人： Christelle Charpin-Nicolle
- 申请人地址： FR
- 专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人： Commissariat a l'Energie Atomique
- 当前专利权人地址： FR
- 代理机构： Lowe Hauptman Ham & Berner, LLP
- 优先权： FR0512611 20051213
- 国际申请： PCT/EP2006/069272 WO 20061204
- 国际公布： WO2007/068617 WO 20070621
- 主分类号： G03F1/00
- IPC分类号： G03F1/00
摘要：
The invention relates to a process for fabricating an extreme ultraviolet photolithography mask operating in reflection, comprising a substrate, a mirror structure (uniformly deposited on the substrate, and an absorbent element forming a pattern deposited on the mirror structure, characterized in that the absorbent element is obtained by the irradiation and then development of an organometallic resist layer deposited on the mirror structure.
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