Semiconductor substrate and method of connecting semiconductor die to substrate

发明授权

US07868449B2 Semiconductor substrate and method of connecting semiconductor die to substrate 有权

标题翻译：半导体基板和将半导体管芯连接到基板的方法

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专利标题： Semiconductor substrate and method of connecting semiconductor die to substrate
专利标题（中）： 半导体基板和将半导体管芯连接到基板的方法
申请号： US12471409

申请日： 2009-05-25
公开(公告)号： US07868449B2

公开(公告)日： 2011-01-11
发明人: Kai Yun Yow , Poh Leng Eu
申请人： Kai Yun Yow , Poh Leng Eu
申请人地址： US TX Austin
专利权人： Freescale Semiconductor, Inc.
当前专利权人： Freescale Semiconductor, Inc.
当前专利权人地址： US TX Austin
代理商 Charles Bergere
主分类号： H01L23/04
IPC分类号： H01L23/04

Semiconductor substrate and method of connecting semiconductor die to substrate

摘要：

A semiconductor substrate includes a substrate layer and a circuit film formed over the substrate layer. One or more openings are formed in the circuit film and the substrate layer. Conductive plates are formed over the circuit film at the peripheries of the openings. A semiconductor die is attached to the circuit film, below the openings with an adhesive material. A conductive material is disposed in the openings to electrically connect the semiconductor die to the conductive plates.

摘要（中）：

半导体衬底包括衬底层和形成在衬底层上的电路膜。在电路膜和衬底层中形成一个或多个开口。在开口周边的电路膜上形成导电板。半导体管芯通过粘合剂材料附接到开口下方的电路膜上。导电材料设置在开口中以使半导体管芯与导电板电连接。

公开/授权文献

US20100295169A1 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF CONNECTING SEMICONDUCTOR DIE TO SUBSTRATE 公开/授权日：2010-11-25

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/02	.容器；封接（H01L23/12，H01L23/34，H01L23/48，H01L23/552优先）
H01L23/04	..按外形区分的