发明授权
US07733095B2 Apparatus for wafer level arc detection at an RF bias impedance match to the pedestal electrode
有权
用于在与基座电极匹配的RF偏置阻抗下进行晶片级电弧检测的装置
- 专利标题： Apparatus for wafer level arc detection at an RF bias impedance match to the pedestal electrode
- 专利标题（中）： 用于在与基座电极匹配的RF偏置阻抗下进行晶片级电弧检测的装置
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申请号： US11893353申请日： 2007-08-15
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公开(公告)号： US07733095B2公开(公告)日： 2010-06-08
- 发明人: John Pipitone , John C. Forster
- 申请人： John Pipitone , John C. Forster
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Law Office of Robert M. Wallace
- 主分类号： H01H9/50
- IPC分类号： H01H9/50 ; C23C14/34
摘要：
Wafer level arc detection is provided in a plasma reactor using an RF transient sensor coupled to a threshold comparator, and a system controller responsive to the threshold comparator.
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