发明授权
- 专利标题： Electric device comprising an LDMOS transistor
- 专利标题（中）： 电子装置包括LDMOS晶体管
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申请号： US10569171申请日： 2004-08-24
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公开(公告)号： US07521768B2公开(公告)日： 2009-04-21
- 发明人: Stephan Jo Cecile Henri Theeuwen , Freerk Van Rijs , Petra Christina Anna Hammes , Ivo Bernhard Pouwel , Hendrikus Ferdinand Franciscus Jos
- 申请人： Stephan Jo Cecile Henri Theeuwen , Freerk Van Rijs , Petra Christina Anna Hammes , Ivo Bernhard Pouwel , Hendrikus Ferdinand Franciscus Jos
- 申请人地址： NL Eindhoven
- 专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人： NXP B.V.
- 当前专利权人地址： NL Eindhoven
- 优先权： EP03103233 20030827
- 国际申请： PCT/IB2004/051549 WO 20040824
- 国际公布： WO2005/022645 WO 20050310
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L29/78
摘要：
The LDMOS transistor (99) of the invention is provided with a stepped shield structure (50) and/or with a first (25) and a second (26) drain extension region having a higher dopant concentration than the second drain extension region, and being covered by the shield.
公开/授权文献
- US20070007591A1 Electric device comprising an ldmos transistor 公开/授权日：2007-01-11
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