发明授权
- 专利标题： Semiconductor element
- 专利标题（中）： 半导体元件
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申请号： US10017325申请日： 2001-12-14
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公开(公告)号： US07067847B2公开(公告)日： 2006-06-27
- 发明人: Tomohiko Shibata , Keiichiro Asai , Yukinori Nakamura , Mitsuhiro Tanaka
- 申请人： Tomohiko Shibata , Keiichiro Asai , Yukinori Nakamura , Mitsuhiro Tanaka
- 申请人地址： JP Nagoya
- 专利权人： NGK Isulators, Ltd.
- 当前专利权人： NGK Isulators, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Nagoya
- 代理机构： Burr & Brown
- 优先权： JP2000-388304 20001221; JP2001-266928 20010904
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
On a substrate made of e.g., sapphire single crystal is formed an Al underlayer having FWHM X-ray rocking curve value of 90 seconds or below. A buffer layer is formed on the AlN underlayer and has a composition of AlpGaqIn1−p−qN (0≦p≦1, 0≦y≦q). A GaN-based semiconductor layer group is formed on the buffer layer.
公开/授权文献
- US20020125491A1 Semiconductor element 公开/授权日：2002-09-12
信息查询
IPC分类:
