PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics

发明授权

US07060586B2 PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics 有权

标题翻译：具有电阻随机存取存储器（RRAM）特性的PCMO薄膜

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专利标题： PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics
专利标题（中）： 具有电阻随机存取存储器（RRAM）特性的PCMO薄膜
申请号： US10836689

申请日： 2004-04-30
公开(公告)号： US07060586B2

公开(公告)日： 2006-06-13
发明人: Tingkai Li , Wei-Wei Zhuang , David R. Evans , Sheng Teng Hsu
申请人： Tingkai Li , Wei-Wei Zhuang , David R. Evans , Sheng Teng Hsu
申请人地址： US WA Camas
专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
当前专利权人： Sharp Laboratories of America, Inc.
当前专利权人地址： US WA Camas
代理机构： Law Office of Gerald Maliszewski
代理商 Gerald Maliszewski
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; H01L29/00

PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics

摘要：

PrCaMnO (PCMO) thin films with predetermined memory-resistance characteristics and associated formation processes have been provided. In one aspect the method comprises: forming a Pr3+1−xCa2+xMnO thin film composition, where 0.1

摘要（中）：

已经提供了具有预定的记忆电阻特性和相关的形成过程的PrCaMnO（PCMO）薄膜。在一个方面，所述方法包括：形成Pr 3+ 1-x 2 Ca 2 O 3 x MnO薄膜组成，其中0.1 _0.78Mn^{4+</SUP>_0.22O^2-_{2.96 组合， Mn和O离子的比例变化如下：O 2 - （2.96）; Mn（3+）+（（1-x）+ 8％）; 和Mn 4+（x-8％）。在另一方面，该方法响应于晶体取向在PCMO膜中产生密度。例如，如果PCMO膜具有（110）取向，则在垂直于（110）取向的平面中产生在每平方英尺5至6.76个Mn原子的范围内的密度。}}

公开/授权文献

US20050245039A1 PCMO thin film with resistance random access memory (RRAM) characteristics 公开/授权日：2005-11-03

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长