发明授权
- 专利标题： Use of organometallic compounds to deposit thin films from the gas phase
- 专利标题（中）： 使用有机化合物从气体相中沉积薄膜
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申请号： US752697申请日： 1991-09-06
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公开(公告)号： US5209952A公开(公告)日： 1993-05-11
- 发明人: Dietrich Erdmann , Ludwig Pohl , Martin Hostalek
- 申请人： Dietrich Erdmann , Ludwig Pohl , Martin Hostalek
- 申请人地址： DEX Darmstadt
- 专利权人： Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung
- 当前专利权人： Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung
- 当前专利权人地址： DEX Darmstadt
- 优先权： DEX3907579 19890309
- 主分类号： C07F5/00
- IPC分类号： C07F5/00 ; C07F5/06 ; C07F9/70 ; C07F9/90 ; C23C16/30 ; C30B25/02 ; C30B29/40
摘要：
The invention relates to the use of organometallic compounds containing, as metals, aluminum, gallium or indium for the deposition of thin films or epitactic layers from the gas phase.
公开/授权文献
- US5786133A Antistatic layer for photographic elements 公开/授权日：1998-07-28
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