Production of semi-conductor bodies

Invention Grant

US2894863A Production of semi-conductor bodies 失效

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Espacenet

IPC分类:

C	化学；冶金
C30	晶体生长
C30B	单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
C30B15/00	熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B27/00）
C30B15/02	.向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04	..添加掺杂材料，例如用于n-p结的