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发明申请
US20160233216A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR 审中-公开
半导体器件及其制备方法

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
  • 专利标题（中）： 半导体器件及其制备方法
  • 申请号： US15023049
    申请日： 2014-12-03
  • 公开(公告)号： US20160233216A1
    公开(公告)日： 2016-08-11
  • 发明人: Guangsheng ZHANG , Sen ZHANG
  • 申请人： CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.
  • 优先权： CN201310661381.3 20131206
  • 国际申请： PCT/CN2014/092964 WO 20141203
  • 主分类号： H01L27/088
  • IPC分类号： H01L27/088 ;  H01L21/8236
SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
摘要：
A semiconductor device includes a substrate (110); a buried layer (120) formed on the substrate (110), a diffusion layer (130) formed on the buried layer (120), wherein the diffusion layer (130) includes a first diffusion region (132) and a second diffusion region (134), and an impurity type of the second diffusion region (134) is opposite to an impurity type of the first diffusion region (132); the diffusion layer (134) further comprises a plurality of third diffusion regions (136) formed in the second diffusion region, wherein an impurity type of the third diffusion region (136) is opposite to the impurity type of the second diffusion region (134); and a gate (144) formed on the diffusion layer (130).
摘要（中）：

半导体器件包括衬底（110）; 形成在所述衬底（110）上的掩埋层（120），形成在所述掩埋层（120）上的扩散层（130），其中所述扩散层（130）包括第一扩散区域（132）和第二扩散区域 134），并且所述第二扩散区（134）的杂质类型与所述第一扩散区（132）的杂质类型相反; 扩散层（134）还包括形成在第二扩散区域中的多个第三扩散区域（136），其中第三扩散区域（136）的杂质类型与第二扩散区域（134）的杂质类型相反， ; 和形成在扩散层（130）上的栅极（144）。

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