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发明申请
US20110006365A1 Semiconductor Device Comprising Transistor Structures and Methods for Forming Same 有权
包括晶体管结构的半导体器件及其形成方法

  • 专利标题： Semiconductor Device Comprising Transistor Structures and Methods for Forming Same
  • 专利标题（中）： 包括晶体管结构的半导体器件及其形成方法
  • 申请号： US12877827
    申请日： 2010-09-08
  • 公开(公告)号： US20110006365A1
    公开(公告)日： 2011-01-13
  • 发明人: Venkatesan Ananthan
  • 申请人： Venkatesan Ananthan
  • 申请人地址： US ID Boise
  • 专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
  • 当前专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
  • 当前专利权人地址： US ID Boise
  • 主分类号： H01L29/78
  • IPC分类号： H01L29/78
Semiconductor Device Comprising Transistor Structures and Methods for Forming Same
摘要：
A method for forming an opening within a semiconductor material comprises forming a neck portion, a rounded portion below the neck portion and, in some embodiments, a protruding portion below the rounded portion. This opening may be filled with a conductor, a dielectric, or both. Embodiments to form a transistor gate, shallow trench isolation, and an isolation material separating a transistor source and drain are disclosed. Device structures formed by the method are also described.
摘要（中）：

在半导体材料中形成开口的方法包括在颈部下方形成颈部，圆形部分，在一些实施例中，在圆形部分下方形成突出部分。 该开口可以填充有导体，电介质或两者。 公开了形成晶体管栅极，浅沟槽隔离以及分离晶体管源极和漏极的隔离材料的实施例。 还描述了通过该方法形成的器件结构。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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