发明申请
US20100202182A1 MEMORY DEVICES, SYSTEMS AND METHODS USING MULTIPLE 1/N PAGE ARRAYS AND MULTIPLE WRITE/READ CIRCUITS
审中-公开
使用多个1 / N页阵列和多个写/读电路的存储器件，系统和方法
- 专利标题： MEMORY DEVICES, SYSTEMS AND METHODS USING MULTIPLE 1/N PAGE ARRAYS AND MULTIPLE WRITE/READ CIRCUITS
- 专利标题（中）： 使用多个1 / N页阵列和多个写/读电路的存储器件，系统和方法
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申请号： US12700882申请日： 2010-02-05
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公开(公告)号： US20100202182A1公开(公告)日： 2010-08-12
- 发明人: Sang Beom Kang , Ho Jung Kim , Chul Woo Park , Jung Min Lee , Hyun Ho Choi
- 申请人： Sang Beom Kang , Ho Jung Kim , Chul Woo Park , Jung Min Lee , Hyun Ho Choi
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 优先权： KR10-2009-0010931 20090211
- 主分类号： G11C5/06
- IPC分类号： G11C5/06 ; G11C11/00 ; G11C7/00 ; G11C7/10
摘要：
A memory device architecture includes N arrays respectively for storing a 1/N of a page and N write/read circuits, where N is a natural number, respectively for writing or reading a 1/N of the page to/from each of the N arrays.
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