知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Application
US20080142846A1 Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof 有权
氮化物半导体衬底及其制造方法

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof
Abstract:
The present invention relates to a nitride semiconductor substrate such as gallium nitride substrate and a method for manufacturing the same. The present invention forms a plurality of trenches on a lower surface of a base substrate that are configured to absorb or reduce stresses applied larger when growing a nitride semiconductor film on the base substrate from a central portion of the base substrate towards a peripheral portion. That is, the present invention forms the trenches on the lower surface of the base substrate such that pitches get smaller or widths or depths get larger from the central portion of the base substrate towards the peripheral portion.
Abstract(Chinese):

氮化镓半导体衬底及其制造方法技术领域本发明涉及氮化镓衬底等氮化物半导体衬底及其制造方法。 本发明在基底基板的下表面上形成多个沟槽，该多个沟槽被配置为当从基底基板的中心部分向周边部分生长氮化物半导体膜时，吸收或减小施加更大的应力。 也就是说，本发明在基底基板的下表面上形成沟槽，使得间距变得较小，或者宽度或深度从基底基板的中心部朝向周边部分变大。

Public/Granted literature
Information query
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12 ..按其构成材料的特征区分的
H01L29/26 ...除掺杂材料或其他杂质外，包括有包含在H01L29/16，H01L29/18，H01L29/20，H01L29/22，H01L29/24各组中两组或更多个组内的元素的
H01L29/267 ....在不同半导体区域中的
Patent Agency Ranking
0/0