发明授权
- 专利标题： Electronic device
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申请号： US16958157申请日： 2020-04-29
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公开(公告)号： US12125845B2公开(公告)日： 2024-10-22
- 发明人: Hang Liao , Chunhua Zhou
- 申请人： INNOSCIENCE (ZHUHAI) TECHNOLOGY CO., LTD.
- 申请人地址： CN Zhuhai
- 专利权人： INNOSCIENCE (ZHUHAI) TECHNOLOGY CO., LTD.
- 当前专利权人： INNOSCIENCE (ZHUHAI) TECHNOLOGY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： CN Zhuhai
- 代理机构： JCIPRNET
- 国际申请： PCT/CN2020/087765 2020.04.29
- 国际公布： WO2021/217494A 2021.11.04
- 进入国家日期： 2020-06-26
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/8252 ; H01L27/06 ; H01L29/40 ; H01L29/66
摘要：
A semiconductor structure includes a first nitride semiconductor layer; a second nitride semiconductor layer and a first conductive structure. The second nitride semiconductor layer is disposed on the first nitride semiconductor layer. The first conductive structure is disposed on the second nitride semiconductor layer. The first conductive structure functions as one of a drain and a source of a transistor and one of an anode and a cathode of a diode.
公开/授权文献
- US20220375926A1 ELECTRONIC DEVICE 公开/授权日：2022-11-24
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IPC分类:
