- 专利标题： Polymer, chemically amplified resist composition and patterning process
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申请号： US17022368申请日： 2020-09-16
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公开(公告)号： US12032289B2公开(公告)日： 2024-07-09
- 发明人: Masahiro Fukushima , Masayoshi Sagehashi , Emiko Ono
- 申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： WHDA, LLP
- 优先权： JP 19175739 2019.09.26
- 主分类号： G03F7/038
- IPC分类号： G03F7/038 ; C08F212/14 ; C08F220/28 ; C08F220/40 ; C09D125/18 ; C09D133/08 ; C09D133/14 ; G03F7/039
摘要：
A polymer comprising recurring units having a multiple bond-containing acid labile group, recurring units having a phenolic hydroxyl group, and recurring units adapted to generate an acid upon exposure is used to formulate a resist composition, which exhibits a high sensitivity, low LWR and improved CDU when processed by lithography using EUV of wavelength 13.5 nm.
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