- 专利标题： SOT-MRAM with shared selector
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申请号： US17002351申请日： 2020-08-25
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公开(公告)号： US11289143B2公开(公告)日： 2022-03-29
- 发明人: MingYuan Song , Shy-Jay Lin , Chien-Min Lee , William Joseph Gallagher
- 申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Slater Matsil, LLP
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G01R33/09 ; H01L27/22 ; H01L43/04 ; H01L43/08 ; H01L43/10 ; H01L43/14
摘要：
A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) stack, a spin-orbit torque (SOT) induction wiring disposed over the MTJ stack, a first terminal coupled to a first end of the SOT induction wiring, a second terminal coupled to a second end of the SOT induction wiring, and a shared selector layer coupled to the first terminal.
公开/授权文献
- US20210134339A1 SOT-MRAM with Shared Selector 公开/授权日：2021-05-06
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