实用新型
- 专利标题： 一种新型可控硅
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申请号： CN201920379728.8申请日： 2019-03-25
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公开(公告)号： CN209461458U公开(公告)日： 2019-10-01
- 发明人: 董树荣 , 沈宏宇 , 徐泽坤 , 郭维
- 申请人： 浙江大学昆山创新中心
- 申请人地址： 江苏省苏州市昆山市祖冲之南路1699号R1101
- 专利权人： 浙江大学昆山创新中心
- 当前专利权人： 浙江大学昆山创新中心
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市昆山市祖冲之南路1699号R1101
- 代理机构： 南京纵横知识产权代理有限公司
- 代理商 董建林; 俞翠华
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
本实用新型公开了一种新型可控硅，包括：衬底，所述衬底上沿其长度方向设置有N阱和P阱；所述N阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第一P+注入区和第一N+注入区；所述P阱上沿衬底的宽度方向依次设置有第二P+注入区和第二N+注入区；所述第一P+注入区和第二N+注入区分别接入阳极和阴极，所述第一N+注入区和第二P+注入区通过金属线相连；所述第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区之间均通过第一隔离槽分隔开；所述第一P+注入区和第一N+注入区与N阱的边缘之间通过第二隔离槽分隔开，所述第二P+注入区和第二N+注入区与P阱的边缘之间通过第三隔离槽分隔开。本实用新型不仅节省了版图面积，提高了面积效率，还具有提高可控硅结构维持电压的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
IPC分类:
