发明授权
CN1971428B 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method of semiconductor device using immersion lithography process
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申请号： CN200610151549.6申请日： 2006-09-11
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公开(公告)号： CN1971428B公开(公告)日： 2010-07-07
- 发明人: 郑载昌 , 文承灿
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权： 111278/05 2005.11.21 KR
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G03F7/26 ; H01L21/00
摘要：
本发明提供了一种使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法，其包括在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前，以至少大约40℃的水预先处理晶片，藉以有效地减少水痕缺陷。
公开/授权文献
- CN1971428A 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法 公开/授权日：2007-05-30
IPC分类:
