本发明是关于一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。本发明具有钨接触物的半导体装置的制造方法，改善了成核层与主体沉积层间的接触情形，钨主体层较佳地吸附于钨成核层的结晶表面并可促进较小的晶粒成长而形成无孔洞的结构，且增加沟填能力，使元件具有较佳的速度与表现。