发明公开
CN1688744A 用于形成含锆和/或铪层的系统和方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 用于形成含锆和/或铪层的系统和方法
- 专利标题（英）： Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
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申请号： CN03824587.6申请日： 2003-08-27
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公开(公告)号： CN1688744A公开(公告)日： 2005-10-26
- 发明人: B·A·瓦尔茨特拉
- 申请人： 微米技术有限公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 段晓玲
- 优先权： 10/229,779 2002.08.28 US
- 国际申请： PCT/US2003/027152 2003.08.27
- 国际公布： WO2004/020691 EN 2004.03.11
- 进入国家日期： 2005-04-25
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; H01L21/316 ; C23C16/10 ; H01L21/00
摘要：
本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Si(OR)4的硅前体化合物与一种或多种式M(NR’R”)4的锆和/或铪前体化合物(其中R、R’和R”各自独立为有机基团，M为锆或铪)在底材(特别是半导体底材或底材组件)上形成含锆和/或铪层的方法及装置。
IPC分类:
