发明公开
- 专利标题： 硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法
- 专利标题（英）： Silicon composition low dielectric film, semiconductor device and method for producing low dielectric films
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申请号： CN01133846.6申请日： 2001-12-24
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公开(公告)号： CN1376740A公开(公告)日： 2002-10-30
- 发明人: 中田义弘 , 铃木克己 , 杉浦严 , 矢野映
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 庞立志; 王其灏
- 优先权： 84475/01 2001.03.23 JP
- 主分类号： C08L83/06
- IPC分类号： C08L83/06 ; H01L23/28
摘要：
一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成－X－键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1,其中X是(C)m,其中m是1～3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。
公开/授权文献
- CN1220731C 硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法 公开/授权日：2005-09-28
