Invention Publication
CN119855138A 半导体结构及其制造方法
审中-实审
- Patent Title: 半导体结构及其制造方法
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Application No.: CN202410074007.1Application Date: 2024-01-18
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Publication No.: CN119855138APublication Date: 2025-04-18
- Inventor: 庄英政
- Applicant: 南亚科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新北市泰山区南林路98号
- Assignee: 南亚科技股份有限公司
- Current Assignee: 南亚科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新北市泰山区南林路98号
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 康艳青; 张铮铮
- Priority: 18/488,627 20231017 US
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00
Abstract:
本发明的实施例提供一种半导体结构的制造方法，且该方法包括以下步骤。提供基板，且基板具有位于阵列区的第一阻障层及位于周边区的第二阻障层。蚀刻基板以在该周边区中形成凹槽，且凹槽的底表面低于第二阻障层的底表面。形成栅极结构于凹槽中。此外，本发明也揭露一种半导体结构。据此，具有凹陷的栅极结构的半导体结构及其制造方法可解决因半导体装置尺寸缩小而导致栅极通道间距变小的漏电问题。
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