一种半导体激光器中巴条芯片散热结构
Abstract:
本发明提供了一种半导体激光器中巴条芯片散热结构,其可提高半导体激光器的散热能力,保证激光器的工作可靠性和延长工作寿命;从上至下依次包括正极片、第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层、衬底层、负极片,所述正极片、负极片的外表面均分别与次热沉相连接;由所述第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层形成的厚度总和小于所述衬底层的厚度,所述衬底层的厚度为40μm~110μm;在所述衬底层的负极面上沉积有石墨烯薄膜层。
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