Invention Publication
- Patent Title: 一种半导体激光器中巴条芯片散热结构
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Application No.: CN202411435074.8Application Date: 2024-10-15
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Publication No.: CN119297723APublication Date: 2025-01-10
- Inventor: 蔡震 , 于飞 , 胡原辅 , 冯小明
- Applicant: 无锡亮源激光技术有限公司 , 西安电子科技大学杭州研究院
- Applicant Address: 江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号;
- Assignee: 无锡亮源激光技术有限公司,西安电子科技大学杭州研究院
- Current Assignee: 无锡亮源激光技术有限公司,西安电子科技大学杭州研究院
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号;
- Agency: 苏州国诚专利代理有限公司
- Agent 顾阳
- Main IPC: H01S5/024
- IPC: H01S5/024 ; H01S5/02

Abstract:
本发明提供了一种半导体激光器中巴条芯片散热结构,其可提高半导体激光器的散热能力,保证激光器的工作可靠性和延长工作寿命;从上至下依次包括正极片、第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层、衬底层、负极片,所述正极片、负极片的外表面均分别与次热沉相连接;由所述第一波导层、第一光限制层、有源层、第二波导层、第二光限制层形成的厚度总和小于所述衬底层的厚度,所述衬底层的厚度为40μm~110μm;在所述衬底层的负极面上沉积有石墨烯薄膜层。
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