本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；在衬底的一侧依次形成第一电极层、沟道层和牺牲层；制作替代栅，替代栅覆盖沟道层的侧壁；制作第一介质层，并去除牺牲层和替代栅，以形成由第一介质层、第一电极层和沟道层围成的容纳腔；在第一电极层远离衬底的一侧制作栅极层，栅极层位于容纳腔内，栅极层环设在沟道层的外周，且分别与第一电极层和沟道层绝缘；在沟道层远离衬底的一侧制作第二电极层，第二电极层与栅极层绝缘。本申请实施例无需通过光刻工艺即可方便地制作栅极层，可以持续对存储器结构进行微缩。