- 专利标题: 全氟酞菁铜在制备钙钛矿埋底界面修饰层或制备钙钛矿层埋底界面修饰剂中的应用
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申请号: CN202411065611.4申请日: 2024-08-05
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公开(公告)号: CN118984596A公开(公告)日: 2024-11-19
- 发明人: 霍延平 , 刘曼婷 , 杨庆旦
- 申请人: 广东工业大学
- 申请人地址: 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 专利权人: 广东工业大学
- 当前专利权人: 广东工业大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102专利代理师林宇然
- 主分类号: H10K30/50
- IPC分类号: H10K30/50 ; H10K85/30 ; H10K30/88 ; H10K71/00
摘要:
本发明公开了全氟酞菁铜在制备钙钛矿埋底界面修饰层或制备钙钛矿层埋底界面修饰剂中的应用。本发明的全氟酞菁铜作为埋底界面修饰剂可以改善钙钛矿层和空穴传输层之间的界面接触,高度氟化的全氟酞菁铜产生更为疏水的埋底界面,促使钙钛矿晶粒纵向生长,调节钙钛矿层的结晶生长和形貌,从而更有利于加速载流子的传输。同时,氟原子具有较强的电负性,可以有效抑制钙钛矿层和空穴传输层间有害的氧化还原反应,减少非辐射复合,实现了提高太阳能电池的光电转化效率和稳定性的目的。