- 专利标题: 缺陷来源分析方法、装置、设备和介质
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申请号: CN202310520245.6申请日: 2023-05-09
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公开(公告)号: CN118983233A公开(公告)日: 2024-11-19
- 发明人: 陈鲁 , 雷云龙 , 洪小波 , 张嵩
- 申请人: 深圳中科飞测科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区上横朗第四工业区2号101、201、301
- 专利权人: 深圳中科飞测科技股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳中科飞测科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区上横朗第四工业区2号101、201、301
- 代理机构: 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373专利代理师颜钟惠沈祖锋
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本申请提供了一种缺陷来源分析方法、装置、设备和介质,所述缺陷来源分析方法包括:在需要对当前工艺层中的目标缺陷进行缺陷来源分析时,先根据目标缺陷的位置数据和误差容忍度的大小确定疑似缺陷区域,再确定待匹配前层缺陷中是否存在落入所述疑似缺陷区域中的疑似匹配缺陷,然后进行疑似匹配缺陷中是否存在目标缺陷的匹配缺陷的判断处理,进而根据判断处理的结果确定目标缺陷的来源。本申请实施例提供的缺陷来源分析方法,无需将目标缺陷与前一工艺层中的所有缺陷一一做位置匹配,有效的降低了缺陷来源分析的运算复杂度,可以快速高效的确定缺陷的来源。
IPC分类: