发明公开
- 专利标题： 存储器及其制备方法、存储器系统和电子设备
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申请号： CN202310532472.0申请日： 2023-05-11
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公开(公告)号： CN118943091A公开(公告)日： 2024-11-12
- 发明人: 郑好 , 范冬宇 , 刘磊 , 夏志良 , 霍宗亮
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 高洁; 张颖玲
- 主分类号： H01L23/367
- IPC分类号： H01L23/367 ; H01L21/48 ; G11B33/14
摘要：
本公开实施例公开了一种存储器及其制备方法、存储器系统和电子设备。存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一导电柱；第二半导体结构包括第二介质层和位于第二介质层中的第二导电柱；第二导电柱和第一导电柱连接；存储器还包括位于第一介质层和/或第二介质层中的散热通道；其中，散热通道与第一导电柱和/或第二导电柱间隔设置。
IPC分类:
