本公开涉及用于半导体装置的晶片对晶片封装的高电压二极管。一种半导体装置，其包含：第一半导体装置，所述第一半导体装置包含衬底、安置于所述衬底上方和所述第一半导体装置的前侧表面下方的存储器阵列、安置于所述存储器阵列下方的多个源极区接触件SRC节点，和安置于所述衬底中的多个高电压HV二极管，所述多个HV二极管中的每一个连接到所述多个SRC节点中的对应一个；以及第二半导体装置，所述第二半导体装置包含多个互补金属氧化物半导体CMOS装置，所述多个CMOS装置中的每一个通过所述第二半导体装置的背侧表面和所述第一半导体装置的所述前侧表面连接到所述存储器阵列的对应接合衬垫，其中融合接合存在于所述第二半导体装置的所述背侧表面与所述第一半导体装置的所述前侧表面之间。